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本发明涉及一种III族氮化物半导体可见光雪崩光电探测器及制备方法，探测器包括衬底及在衬底上生长的外延层结构；外延层结构按照从下至上的生长顺序依次为非故意掺杂AlN缓冲层、非故意掺杂AlxGa1‑xN缓冲层，n型重掺杂AlyG1‑yN欧姆接触...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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