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本发明公开了一种在不同衬底材料上制备薄膜的方法，包括以下步骤：首先，准备原始薄膜，原始薄膜从下而上包括牺牲衬底层，氧化硅层和目标薄膜层，目标薄膜层的上表面为抛光面；原始薄膜由室温直接键合技术制备得到；其次，使用高真空键合法将目标衬底和目标薄...
该专利属于济南晶正电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过济南晶正电子科技有限公司授权不得商用。

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