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本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，有源层包括多个复合结构，复合结构包括阱层和垒层；最靠近P型半导体层的几个阱层为第一阱层，第一阱层包括第一子层、第二子层和第...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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