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本发明提供散热集成的电路芯片，包括SOI片，SOI片自上而下包括顶层硅、绝缘层及底层硅，SOI片纵向设置多个垂直通孔，垂直通孔贯穿绝缘层及底层硅，各垂直通孔内均设置导电导热柱，导电导热柱底端裸露于底层硅下表面，垂直通孔内侧壁设置电学隔离层，...
该专利属于南通大学;成都芯锐科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通大学;成都芯锐科技有限公司授权不得商用。

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