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本发明公开了一种晶圆级混合键合的方法，包括以下步骤：提供两片待混合键合的半导体衬底晶圆，在晶圆的表面沉积一层第一介质层，并进行图形化处理，形成图形结构；在图形结构中填充金属，形成金属层图形；对晶圆表面进行平坦化处理，使第一介质层与金属层表面...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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