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本发明涉及利用半导体基体来调控气相沉积金属薄膜织构及制备方法。准备一个非半导体基体，在半导体基体表面沉积一层目标金属薄膜。半导体是Ge或者Si或者Si‑Ge合金。沉积的目标金属可以是纯金属或者合金，至少包含一种下列金属元素：Al、Au、Ni...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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