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本发明提供了一种氧化镓半导体叠层结构。所述氧化镓半导体叠层结构包括图形化蓝宝石衬底和生长在图形化蓝宝石衬底上的氧化镓结晶膜；所述氧化镓为纯ε相或纯α相氧化镓；所述图形化蓝宝石衬底的实际表面和c晶面存在0°‑10°的偏离角，所述图形化蓝宝石衬...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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