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本发明公开了一种基于MOSFET源漏极光栅化THz探测器制备方法：在硅基底上依次通过光刻、离子注入、去胶、氧化物生长、牺牲层沉积、刻蚀、源漏区离子注入，制备出THz探测器底部器件；在底部器件上通过掩膜版光刻刻蚀手段制备出符合要求的源极光栅结...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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