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本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。高电子迁移率晶体管包括衬底、沟道层、势垒层、源极、漏极和栅极，沟道层和势垒层依次层叠在衬底上，源极、漏极和栅极分别设置在势垒层上，源极和漏极均与势垒层形成欧姆接触，栅极与势...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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