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本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置。所述低温多晶硅包括基层、低温多晶硅层、栅极绝缘层、栅极以及层间介质层。所述低温多晶硅层设于所述基层上方。所述栅极绝缘层覆于所述低温多晶硅层上。所述栅极设于所述栅极绝缘层上。所述层间介质层覆于所...该专利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置。所述低温多晶硅包括基层、低温多晶硅层、栅极绝缘层、栅极以及层间介质层。所述低温多晶硅层设于所述基层上方。所述栅极绝缘层覆于所述低温多晶硅层上。所述栅极设于所述栅极绝缘层上。所述层间介质层覆于所...