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本发明提供了一种封装于陶瓷管壳内的压接式IGBT内部封装结构，该结构包括IGBT/FRD芯片和碳化硅铝层，所述碳化硅铝层位于IGBT/FRD芯片的上、下两方，并且IGBT/FRD芯片与碳化硅铝层之间设置有焊接层，所述IGBT/FRD芯片的上...
该专利属于西安中车永电电气有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安中车永电电气有限公司授权不得商用。

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