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本发明涉及形成导电接触结构至半导体装置的方法及所产生的结构，揭示于本文的一种例示方法可包括：形成接触蚀刻结构于位在第一及第二下导电结构之上的一层绝缘材料中，其中该接触蚀刻结构的至少一部分横向位在该第一及该第二下导电结构之间，形成邻近该接触蚀...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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