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本发明涉及具有减小的横向电场的晶体管元件，其中，在复杂半导体装置中，操作于升高的供应电压下的全耗尽晶体管元件中的横向电场可通过在个别沟道区的边缘区域建立横向梯度掺杂物分布而被显著减小。在用于此目的的一些示例实施例中，在完成栅极电极结构之前，...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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