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本发明公开了一种平面型双向触发二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述平面型双向触发二极管的结构是自下而上包括：p型衬底和n型外延层；在n型外延层上掺杂两个处于同一水平位置的p阱，在两个p阱上分别掺杂一个n阱；本发明突破分立器件的设计思...
该专利属于江南大学所有，仅供学习研究参考，未经过江南大学授权不得商用。

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