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本发明提供一种光刻胶剥离工艺中改善器件均一性的方法，种光刻胶剥离工艺中改善器件均一性的方法，包括：提供一具有非有源区和有源区的衬底，使有源区上表面暴露，并使非有源区覆盖光刻胶；使有源区上表面氧化，形成自然氧化层；将自然氧化层氮化形成第一钝化...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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