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本发明公开一种半导体装置的形成方法，其包含以下步骤。首先，提供一个基底，并且在该基底上形成一个堆叠结构。接着，在该堆叠结构上形成一个图案化含硅掩模层，并通过该图案化含硅掩模层，部分移除该堆叠结构，而在该堆叠结构内形成多个开口。然后，进行一溴...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。