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本发明公开了一种碳化硅单晶薄膜的制备方法，工艺流程主要包括：样品清洗、晶圆键合、原始厚度测量、碳化硅减薄、厚度监测、二次厚度测量、化学机械抛光、样品清洗、薄膜表征等工艺。通过该方法可以获得表面平坦的微米级厚度的碳化硅单晶薄膜，同时也避免了另...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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