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基于苯偶姻提高电容器介质薄膜的直流击穿场强方法技术
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下载基于苯偶姻提高电容器介质薄膜的直流击穿场强方法的技术资料
文档序号:20922452
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本发明公开了基于苯偶姻提高电容器介质薄膜的直流击穿场强方法,包括以下步骤:1.将干燥的聚丙烯颗粒与苯偶姻按照99.5:0.5的质量比在密炼机中充分混合,得到聚丙烯复合材料。同时,设置对照组,即不添加苯偶姻的聚丙烯材料。2.用平板硫化机将聚丙...
该专利属于天津大学所有,仅供学习研究参考,未经过天津大学授权不得商用。
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