下载半导体材料MnO2@Ag、MnO2@Cu的制备及应用的技术资料

文档序号:20919908

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本发明涉及半导体材料MnO2@Ag、MnO2@Cu的制备及应用,包括:将纳米材料MnO2在超声条件下分散于含有M离子及化合物的溶液中,使纳米MnO2均匀分散,然后在搅拌下陈化一定时间,使纳米MnO2对M离子及化合物吸附达到饱和;将上述溶液离...
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