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本实用新型涉及一种阴极保护电位探测装置,包括探头绝缘壳体、阴极保护试片和参比电极,所述探头绝缘壳体为内部中空的腔体,腔体内填充有填充料,所述阴极保护试片、参比电极均嵌设在探头绝缘壳体的顶壁上,且阴极保护试片、参比电极的顶部与所述顶壁的外侧平...该专利属于西安英柯迈信息技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过西安英柯迈信息技术有限公司授权不得商用。
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本实用新型涉及一种阴极保护电位探测装置,包括探头绝缘壳体、阴极保护试片和参比电极,所述探头绝缘壳体为内部中空的腔体,腔体内填充有填充料,所述阴极保护试片、参比电极均嵌设在探头绝缘壳体的顶壁上,且阴极保护试片、参比电极的顶部与所述顶壁的外侧平...