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本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种离子源及离子注入装置。所述离子源，包括用于气体电离的腔室，还包括保护结构；所述保护结构覆盖于所述腔室的内壁表面，以避免所述气体与所述腔室的内壁接触。本实用新型有效避免了气体以及气体电离后产生的离...
该专利属于德淮半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。

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