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六方相硒化铟晶体及其在二阶非线性光学上的应用制造技术
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文档序号:20888422
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本发明公开了一种六方相硒化铟晶体及其在二阶非线性光学上的应用,化学式为In2Se3,分子量为466.52,其单晶属于六方晶系,空间群为P65,晶胞参数为:a=b=7.1231(3)Å,c=19.393(2)Å,α=β=90°,γ=120°,...
该专利属于扬州大学所有,仅供学习研究参考,未经过扬州大学授权不得商用。
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