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本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaAs基共振隧穿二极管及其制备方法，GaAs基共振隧穿二极管包括：GaAs衬底；所述GaAs衬底上表面设有组分渐变的InAlAs缓冲层；所述缓冲层上表面设有重掺杂In0.53Ga0.47As集电极外延...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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