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本发明涉及一种硅基电感结构，涉及半导体集成电路，包括：衬底；电感线圈，位于所述衬底上；一封闭金属线和一封闭多晶硅线，所述封闭金属线和所述封闭多晶硅线位于所述衬底与所述电感线圈之间，所述封闭金属线位于所述封闭多晶硅线之上，所述封闭金属线与所述...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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