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本发明公开了一种采用双金刚石层实现GaN原始衬底转移的方法及应用。方法包括：选择一种GaN晶圆，GaN晶圆具有原始衬底；在GaN晶圆生长面表面生长第一过渡层；在第一过渡层表面沉积第一CVD金刚石膜，作为临时载体；采用化学腐蚀或者激光剥离技术...
该专利属于北京科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京科技大学授权不得商用。

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