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本发明涉及低催化剂含量、不含硫杂质的高质量单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种生长促进剂可控制备不含硫杂质的单壁碳纳米管方法。以硒吩作为生长促进剂前驱体，二茂铁作为催化剂前驱体，并将两者溶解在甲苯溶剂中，通过超声波喷头将溶液转化为气溶胶，...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

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