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本发明公开了一种零亚阈摆幅零碰撞电离晶体管器件及制造方法，它涉及效应晶体管技术领域。包括硅衬底、氧化物、浅槽隔离、浅槽隔离、轻掺杂漏区，硅衬底上设置有氧化物和浅槽隔离,氧化物上方设置有轻掺杂漏区，轻掺杂漏区两侧分别设置有P+和N+,轻掺杂漏...
该专利属于贵阳学院所有，仅供学习研究参考，未经过贵阳学院授权不得商用。

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