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本发明公开了一种半导体器件，其特征在于，包括：电极层；半导体层，与电极层层叠设置，半导体层包括相接触设置的N型区和P型区，N型区和P型区的接触面形成PN结；其中，P型区包括含有氟化铝分解的受主杂质。本发明提供的半导体器件及其制造方法能够缩短...
该专利属于瑞能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑞能半导体有限公司授权不得商用。

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