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本实用新型公开一种具有可控极化率的二维自旋电子器件，包含基底、层叠设置在基底上表面的增强光吸收层、III‑VI族硫属化物二维材料、铁磁金属层、BN二维材料保护层；以及与III‑VI族硫属化物二维材料连接的第一和第二沟道电极；该器件中铁磁金属...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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