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本发明提供了一种基于多铁异质结构的阻变存储器，所述阻变存储器包括：衬底；设置在所述衬底上的铁磁底电极层；设置在所述铁磁底电极层背离所述衬底一侧的铁电势垒层，其中，所述铁电势垒层部分覆盖所述铁磁底电极层；设置在所述铁电势垒层背离所述铁磁底电极...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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