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本发明涉及一种基于InGaN双沟道异质结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法，该方法包括：选取衬底层；在衬底层上生长成核层；在成核层上生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上生长第一InGaN沟道层；在第一InGaN沟道层上生长第一AlN插入层；在...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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