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本发明提供一种静电放电保护电路及其结构和工作方法，其中电路包括：第一电路，第一电路包括第一MOS晶体管、第一电阻和第一电容，所述第一电阻两端分别与第一MOS晶体管的源极和栅极连接，第一电容两端分别与第一MOS晶体管的栅极和漏极连接；第二电路...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。