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一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有第一鳍部；形成位于第一鳍部中的第一初始掺杂层；进行凹槽处理工艺，使第一初始掺杂层形成第一掺杂层，第一掺杂层中具有凹槽，所述第一掺杂层的顶部表面暴露出凹槽，所述凹槽在第...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司授权不得商用。