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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有鳍部；对所述鳍部的顶部进行非晶化处理，在所述鳍部的顶部形成非晶区；在所述非晶区的顶部表面形成盖帽层；进行再结晶处理，使所述非晶区和盖帽层形成再结晶层；形成栅极结构和分别位于栅...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司授权不得商用。