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本发明涉及功率半导体领域，提供一种具有载流子存储层的平面栅IGBT器件，用以解决现有的具有载流子存储层的槽栅IGBT栅驱电荷过大、短路安全工作区较小以及CSL层浓度受限的问题。本发明将传统用于制作槽栅IGBT沟道的深槽与槽底部的P型埋层结合...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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