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本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质。本发明的课题为抑制在沿上下方向装载的衬底上形成的膜的膜厚在衬底之间产生不均。本发明的解决手段为通过一边供给DCS气体一边从喷嘴(249a)向处理室(201)供给N2气体，从而利用N2气...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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