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本发明涉及一种基于锑化铟(InSb)条带微结构太赫兹调制器及其制备方法，调制器包括Si衬底，生长在Si衬底上的绝缘层，生长在绝缘层上的基于锑化铟的条带型微结构层，该条带型微结构层为铜‑锑化铟混合条带型微结构或锑化铟‑锑化铟混合条带型微结构。...
该专利属于上海师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海师范大学授权不得商用。

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