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一种波导移相器及其制备方法技术
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文档序号:20796095
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本发明实施例提供一种波导移相器及其制备方法。所述波导移相器包括半导体衬底,所述半导体衬底至少包括衬底层、氧化层和顶层硅层,其中所述氧化层位于所述衬底层和所述顶层硅层的中间,在所述顶层硅层刻蚀出波导阵列,所述波导阵列为至少一条水平排列的脊型波...
该专利属于北京万集科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京万集科技股份有限公司授权不得商用。
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