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本发明涉及一种降低CZ法制备单晶的杂质含量的方法，在一个坩埚中同时生长多于一颗单晶，一般可同时生长2‑4颗单晶，各个单晶到坩埚轴心距离相同，均匀分布在坩埚同心圆轨道上，坩埚旋转方向与各个单晶自转方向相反，使得多个单晶能够均匀稳定的成晶，并保...
该专利属于内蒙古中环光伏材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过内蒙古中环光伏材料有限公司授权不得商用。

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