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本发明提供一种多晶硅薄膜电极制备工艺，包括如下步骤：首先在衬底上制备一层氮化硅绝缘层；在该氮化硅绝缘层高温下采用化学气相沉积技术沉积一层多晶硅薄膜用来制作感应电极；在该多晶硅薄膜上方制备氧化硅牺牲层；在该氧化硅牺牲层上方高温下采用化学气相沉...
该专利属于国网重庆市电力公司北碚供电分公司所有，仅供学习研究参考，未经过国网重庆市电力公司北碚供电分公司授权不得商用。

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