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本发明涉及一种反应烧结碳化硅微滤膜层的制备方法，该制备方法包括：（1）将碳化硅粉体、碳源、水性硅溶胶和水混合，得到水基碳化硅浆料；（2）将所得水基碳化硅浆料涂覆于碳化硅膜支撑体表面，再经干燥后，在保护气氛中、1300℃～1600℃下热处理，...该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种反应烧结碳化硅微滤膜层的制备方法，该制备方法包括：（1）将碳化硅粉体、碳源、水性硅溶胶和水混合，得到水基碳化硅浆料；（2）将所得水基碳化硅浆料涂覆于碳化硅膜支撑体表面，再经干燥后，在保护气氛中、1300℃～1600℃下热处理，...