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本发明公开了一种锂离子高截留率的双极膜的制备方法。该锂离子高截留率的双极膜的制备方法包括双极膜的基膜制备、基膜的阳面合成、基膜的阴面合成、后处理。将聚醚醚酮膜进行表面活化,苯丁稀反应、聚合反应形成基膜,再将制得的基膜先后浸泡于硫酸与氯丁醚中...该专利属于杭州水处理技术研究开发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州水处理技术研究开发中心有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种锂离子高截留率的双极膜的制备方法。该锂离子高截留率的双极膜的制备方法包括双极膜的基膜制备、基膜的阳面合成、基膜的阴面合成、后处理。将聚醚醚酮膜进行表面活化,苯丁稀反应、聚合反应形成基膜,再将制得的基膜先后浸泡于硫酸与氯丁醚中...