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一种硅化物生长单壁碳纳米管的方法技术
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文档序号:20781925
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本发明涉及一种硅化物生长单壁碳纳米管的方法,以FeSi为催化剂,以惰性气体为载气,使碳源在高温条件下生长窄手性/直径SWNTs。有效克服了催化剂制备复杂,SWNTs直径较大,手性分布广的问题,实现在以硅化物为催化剂生长SWNTs,制备出窄手...
该专利属于青岛科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过青岛科技大学授权不得商用。
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