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制作多晶片图像传感器的方法技术
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文档序号:20764450
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本申请案涉及一种制作多晶片图像传感器的方法。一种制作图像传感器的方法包含:在半导体衬底的成像区中形成像素阵列;及在形成所述像素阵列之后在所述半导体衬底的外围区中形成沟槽。所述外围区在所述成像区的周界上。用绝缘材料填充所述沟槽。在用绝缘材料填...
该专利属于豪威科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过豪威科技股份有限公司授权不得商用。
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