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本发明公开了一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法，建立SiCMOSFET仿真电路模型，对SiCMOSFET仿真电路模型进行双脉冲电路仿真测试，得到仿真双脉冲测试电压电流波形图；根据SiCMOSFET仿真电路模型建立SiCMOS...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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