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一种用于等离子体损伤检测的半导体器件及其检测方法、形成方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；金属层间介质层，所述金属层间介质层内形成有成对的第一金属互连结构与第二金属互连结构，以及成对的第三金属互连结构与第四金属互连结构；TSV刻蚀沟槽；第...
该专利属于德淮半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。

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