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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底上具有鳍部材料层；在鳍部材料层上形成分立的牺牲鳍部图形、中心鳍部图形以及边缘鳍部图形；对中心鳍部图形进行减薄处理；刻蚀鳍部材料层，形成位于第二区域上的牺牲鳍部、位于第一区域上的边缘鳍部...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司授权不得商用。