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本发明涉及一种基于溅射AlN基板的混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：在衬底的预设部分溅射生长AlN基板；在衬底的其余部分和AlN基板上生长AlN成核层；在AlN成核层上生长混合极性GaN缓冲层；在混...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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