温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：在第一区域和第二区域衬底上形成初始功能层；在所述初始功能层上形成初始掩膜层；在所述第一区域初始掩膜层上形成多个分立的第一图形层，分别在去除区和保留区初始掩膜层上形成第二图形层，所述第一图...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。