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一种制造相变化记忆体的方法，包含：形成一结构，包含：底电极；介电层，位于底电极上方；隔离层，位于介电层上方，并具有开口贯穿隔离层；以及多晶硅层，位于开口内；形成第一孔洞及第二孔洞分别贯穿多晶硅层及介电层，第二孔洞位于第一孔洞的下方；形成保护...该专利属于江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司授权不得商用。